非金属电热元件：
硅钼棒金属电热元件：
其他烧结气氛：
氮气温控精度：
-最高温度：
1800℃额定温度：
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立式退火炉
1、**设计温度：1800℃
2、常用温度：1700℃
3、供电电源：AC380V±10％,3相4线, 50Hz
4、加热元件：硅钼棒
5、适用烧结气氛：氮气、一氧化碳、氩气
该设备主要用于半导体硅晶片的退火、具有控温精度高、温度场均衡、升降温速率快、可靠性高等特点，是制作半导体硅晶片材料的必备工艺设备
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