非金属电热元件：
其他金属电热元件：
其他烧结气氛：
其他温控精度：
±1℃最高温度：
1200额定温度：
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产品介绍:
该产品是由射频电源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成，适用于室温至1200℃条件下进行Si02、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，Sic膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合干有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
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