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PHI ADEPT 1010
简介
动态二次离子质谱仪（D-SIMS）是使用一次离子束（通常是Cs源）轰击样品表面，而产生二次离子，然后用质谱分析仪分析二次离子的质荷比（m/q），从而得知元素在样品中的深度分布，是分析半导体掺杂和离子注入的强有力的工具。
优势
ULVAC-PHI **设计的四极杆-二次离子质谱仪ADPT1010，在原有的PHI6300和PHI6600的基础上，改善了离子光学系统，是在一次离子能量低至250eV时，仍保持有效的溅射束流的动态二次离子质谱系统（D-SIMS）。
特点
大束流低能量离子枪设计，极大的提高了深度分辨率
高性能离子光学系统，改善了二次离子传输效率，在提高分析效率的同时又提高了检测灵敏度
高精度全自动5轴样品操控台
不同方向进入检测器的二次离子，均可被高灵敏地收集检测
应用实例分析
采用一次离子源Cs在加速5kV束流为100nA的条件下，分析GaAs中注入的H，C，O元素。可以看到H检测限值7.1X1016 atm/cm3，O检测限值4.4X1015 atm/cm3，C检测限值2.0X1015 atm/cm3。
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