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霍尔效应测量系统
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仪器简介:

欧洲高性能霍尔效应测量系统,广泛应用于半导体材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究;可对多种重要物理参量如:电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率、磁电阻和V-I曲线等测量和分析;

可测试材料: 半导体材料:包括 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, and HgCdTe,砖石铁,氧体材料;

低阻材料:包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料

高阻材料:包括半导体绝缘材料、GaAs、GaN、CdTe和光电探测器

技术参数:

电流源:

测量范围: 1nA - 10 mA

输出电压: +/- 10V (+/-20V)

输出电阻: typical 1013 Ohms

电流分辨率: 25 pA

电压测量:

测量范围: 10 mV - 10V(自动量程选择)

分辨率 : <500nV

输入电阻: > 1013 Ohms

磁场范围:0.45T~2T(牛津磁体);

电阻测量范围: 1x10-3 Ohm - 1x109 Ohm

电阻率测量范围: 1 x10-5 Ohm*cm - 1x107 Ohm*cm

载流子浓度范围: 107 cm-3 - 1021 cm-3

主要特点:

电阻率Rho测量;

霍尔系数RH测量;

V-I曲线测量;

VH电压测量;

载流子浓度测量;

载流子迁移率测量;

载流子形式测量(n or p);

磁电阻等;

独有的非线性电压补偿功能;

磁场大小可调;

自动磁场校准;

低温选件:77K;

Van der Pauw和桥式barshape测量;

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产品质量

10分

售后服务

10分

易用性

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性价比

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