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专门为电子束敏感样品和需**300万倍稳定观察的先进半导体器件，高分辨成像所设计。
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4nm / 30kV (SE)
1.2nm / 1kV (SE)
0.34nm / 30kV (STEM)
用改良的高真空性能和****的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
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