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InGaAs单光子雪崩光电二极管
InGaAs单光子雪崩光电二极管

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加拿大

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筱晓(上海)光子技术有限公司

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MP5522型系列盖革模式InGaAs 单光子雪崩光电二极管

2 产品特性The features

专为单光子探测应用设计,盖革模式工作

响应光谱范围1000nm-1650nm

2 应用领域Applications

量子通信

时间相关单光子计数

光时域反射计

3D 成像

激光测距

DNA测序

光学相干层析

荧光检测及其光谱分析

光电性能The opto-eletronic characteristics

静态参数(@Tc=22±3℃

特性参数Parameters

符号

Sym.

测试条件Test conditions

*小Min

典型Typ

**

Max

单位

Unit

光谱响应范围

Response Spectrum

λ

10001650

nm

响应度

Reponsivity

Re

λ=1.55μmVR=VBR-2Vφe=1μw

10

14

A/W

反向击穿电压

Reverse breakdown voltage

VBR

ID=10mATc=22℃

65

75

V

工作电压温度系数

Operating voltagetemperature coefficient

γ

Tc=-60+30℃ID=10mA

0.1

V/℃

暗电流

Dark current

ID

φe=0μwVR=VBR-2V

3.0

nA

结电容

Total capacitance

Ctot

1MHzVR=VBR-2V

0.2

pF

盖革模式下性能参数

参数

Parameter

测试条件

Test conditions

MP5512Y/MP5522Y

MP5513Y/MP5523Y

单位

Unit

*小值 Min

**值 Max

*小值 Min

**值 Max

暗计数率(DCR)

fgate=50kHzTgate=10nsSPDE=10%

10

3

kHz

单光子探测效率(SPDE)

fgate=fpulse=50kHzTgate=10ns, DCR=10kHzλ=1.55μm,

0.1 photon per pulse

10

20

%

后脉冲概率(APP)

@2us, fpulse=50kHzTgate=10ns, SPDE=10%, λ=1.55μm,

0.1 photon per pulse

2

2

%

测试条件补充说明:

1 MP5512Y/MP5522Y测试温度为TA= -35℃MP5513Y/MP5523Y测温度为TA= -43℃

2过偏压Vob范围:1.0~2.0V

3直流工作电压Vdc范围:(Vbr-1V)~(Vbr-2V)

以上数据仅供参考,用户需要根据实际的应用来选择适合的工作条件。

2 **额定值Maximum ratings

参数

条件

*小值

**值

单位

正向电流

Forward current

连续方式

1

mA

正向电压

Forward voltage

连续方式

1

V

反向电流

Reverse current

连续方式

1

mA

反向电压

Reverse voltage

连续方式

Vbr+5

V

脉冲方式

Vbr+10

入射光功率Optical Power

连续方式

(CW)

1

mW

贮存温度

storagetemperature

-55

85

2 典型特性曲线The typical characteristical curve

Fig. 1 DCR and APP vs Tempearture of the MP5522Y/MP5512Y when PDE=10%

1 MP5522Y/MP5512Y PDE=10%时,温度对暗计数率和后脉冲概率的影响

Fig.2 Photocurrent and dark current vs reverse voltages of the MP5522Y/MP5512Y

2 MP5522Y/MP5512Y光电流-暗电流曲线

2 封装外形及尺寸The package

1. MP5512Y/MP5513Y

2. MP5522Y/MP5523Y

2 引脚定义

管脚

符号

功能定义

1

P

Panode

2

G

Case Ground

3

N

N (cathode)

2 注意事项The cautions

该器件需要温度反馈工作电压控制

This device needs feedback of voltage temperature when operating.

贮运、使用注意静电保护措施

The suitable ESD protecting mersures are recommended in storage, transporting and using.

光纤弯曲半径不小于20mm

The fiber bending radius no less than 20mm for avoiding fiber damaged.

使用前保证光纤连接处洁净

Be sure the fiber coupling facet is clean before connecting it to opto-circuit.

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10分

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