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TerasSense太赫兹产生器IMPATT
TerasSense太赫兹产生器IMPATT

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筱晓(上海)光子技术有限公司

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IMPATT雪崩二极管

产品描述:

雪崩二极管是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz*主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。雪崩二极管具有非常窄的工作频率带宽,所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。

产品特点:

80-120GHz 频率范围

典型输出功率 10mW

结构紧凑性价比高

1 年保修期

雪崩二极管技术参数: 可选项:

频率范围:80-140GHz TTL 调制选项

可用的*低输出功率:10mW 精确附加锥形角

典型线宽:1MHz 高输出功率选项 (>50mW 射频功率输出)

工作电压:15-16V 工作电流:110-120mA

输入功率:2W

性能更新后的典型IMPATT二极管参数规格:

IMPATT diode@100GHz

IMPATT diode @ 140 GHz

操作频率

≈100GHz

≈140GHz

TTL调制

1us 上升或下降时间

1us上升或下降时间

高功率输出

≈80mW

≈30mW

圆锥喇叭天线/法兰

严格固定/WR-8 or WR-10

严格固定/WR-6

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