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一、常温型
特点：标准安装尺寸，·探测器室设计标准安装尺寸，可与我公司的相关产品配套使用，之中7ID317和7ID3175采用进口芯片
技术参数：
| 产品型号 | 7ID3161 | 7ID3162 | 7ID317 | 7ID3175 | ||||
| 响应度 | Test Condition | Min | Typ | Min | Typ | Min | Typ | ------- |
| VR=0V l=850nm | 0.1 | 0.2 | 0.1 | 0.2 | 0.1 | 0.2 | ------- | |
| VR=0V l=1300nm | 0.8 | 0.85 | 0.8 | 0.85 | 0.8 | 0.9 | 0.85 | |
| VR=0V l=1550nm | ----- | 0.85 | ----- | 0.85 | ----- | 0.95 | 0.9 | |
| 感光面积 | Φ2mm | Φ3mm | Φ5mm | Φ5mm | ||||
| 光谱响应范围 | 850-1650nm | 850-1650nm | 800-1700nm | 900-1700nm | ||||
| 重量 | 0.18kg | |||||||
光谱响应参考图：
二、制冷型
特点：标准安装尺寸，可与我公司相关产品配套使用，进口芯片，二级制冷（-40℃，温度稳定度±0.5℃），使用环境温度10-40℃）
技术参数：
型号Model | 7ID317T2 | 7ID319T2 | 7ID322T2 | 7ID324T2 | 7ID326T2 |
感光直径Active Diameter(mm) | 3 | ||||
波长范围Response range(nm) | 800-1700 | 800-1900 | 800-2200 | 800-2400 | 800-2600 |
峰值响应度Peak Response(A/W) | 0.95 | 1.0 | 1.1 | 1.15 | 1.2 |
峰值比探测率Peak D* | 8.4E+13(typ)4.2E+13(min) | 9.1E+12(typ) 6.4 E+12(min) | 1.9E+12(typ) 1.3E+12(min) | 9.6E+11(typ) 6.8E+11(min) | 4.9E+11(typ) 3.4E+11(min) |
等效噪声功率NEP | 3.2E-15(typ)6.3E-15(max) | 2.9E-14(typ)4.1 E-14(max) | 1.4E-13(typ)2.0E-13(max) | 2.8E-13(typ)3.9E-13(max) | 5.5E-13(typ)7.7E-13(max) |
电容(pF)@0V | 1200 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 |
制冷型InGaAs探测器光谱响应图：
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