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磷化铟（InP） 体系外延材料因其在近红外波段的优异性能，以及超高的电子迁移率，在近红外探测、光通信、高频微波射频领域应用广泛。随着现代科技对数据传输效率需求的提升，高速光通信对芯片的性能要求不断提高。为满足光电及射频芯片对性能的需求，埃特曼采用国际**的 MBE 外延生产技术，为国内外客户提供高质量的 InP 外延片。
光电类：
InP PIN
InP APD
射频类：
InP HBT
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