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硒化铟晶体- γ-In2Se3品牌
上海研倍产地
上海样本
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产品技术参数:
产品名称 | 硒化铟晶体- γ-In2Se3 |
货号 | RDB-DJ-171 |
性质 | 半导体 |
保存条件 | 室温,密封 |
参数 | 尺寸: >25mm2 >35mm2 >50mm2 |
应用 | 半导体电子器件,光学器件等研究 |
产品规格:
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
XRD:
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