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生长方法：气炼法/合成
主要成分：SiO2
密度：2.2g/cm^3
熔点：1730℃
莫氏moh’s硬度：7
**安全使用温度（连续）：1000-1100℃
**安全使用温度（短时间）：1300-1400℃
耐热急变温度：800-1100℃
热膨胀系数CTE：5.4*10^(-7)
介电常数（0～10^6Hz）：3.7（常温）
电导率（S/m）：10^(-17)~10^(-16) （20℃ ）
颜色：透明
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