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氮化镓（GaN）半导体禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。
常用规格：
N 型（硅掺）自支撑氮化镓
尺寸：10*10mm | 2英寸直径50.8mm | 4英寸直径100mm
晶向：(0001) Ga face
电阻率： ≤ 0.05 ohm.cm
抛光：双面抛光
N 型（非掺）自支撑氮化镓
尺寸：10*10mm | 2英寸直径50.8mm | 4英寸直径100mm
晶向：(0001) Ga face
电阻率： ≤ 0.5 ohm.cm
抛光：单面抛光 | 双面抛光
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