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氮化硅片
可提供各种规格高质量氮化硅片，及氮化硅片加工定制服务。
尺寸：2,3,4,5,6,8,12英寸；定制尺寸；
晶向：<100>、<111>、<110；
氮化层SiO2膜厚；厚度：5nm-10um，常规：100-500nm；
表面：单面氧化、双面氧化；
加工方法：氧化炉/PECVD等；
类型：N型、P型、非掺杂高阻；
电阻率：重掺杂<0.001ω.cm,轻掺杂1~100ω.cm,非掺>1000~>20000Ω.cm；
氮化硅片
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氮化层SiO2膜厚；厚度：5nm-10um，常规：100-500nm；
表面：单面氧化、双面氧化；
加工方法：氧化炉/PECVD等；
类型：N型、P型、非掺杂高阻；
电阻率：重掺杂<0.001Ω.cm,轻掺杂1~100Ω.cm,非掺>1000~>20000Ω.cm；
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