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希科半导体科技(苏州)有限公司专注于第三代半导体核心关键材料—8英寸碳化硅外延晶片(SiC Epitaxy Wafer)的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件。
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微米级高纯β-SiC粉体
立方SiC微粉
α阿尔法相碳化硅