纳米管打破半导体记录 十年内取代硅

2003年12月中旬在马里兰大学进行的一项研究显示，半导体碳纳米管在室温下传输电流的能力好于任何已知的其它物质。这一发现是纳米管能够成为新一代功能强大的电子产品基础的最新证据。

　　一段时间以来，纳米管的导电性已经为人们所关注，但马里兰州大学超导研究中心的实验结果显示，碳纳米管能够制造出比以前想象得更好的晶体管。由该大学纳米电子研究中心的负责人迈克尔领导的一组研究人员制造了电子流动性比以前的半导体材料高25%、比计算机芯片用硅晶体管高70%的晶体管。半导体材料导电率的记录是1955年由铟-锑化合物创下的。迈克尔在一份声明中指出，在使纳米管成为新一代功能更强大、尺寸更小的电子产品的基础方面，这是重要的一步。

　　该研究小组表示，他们在实验中使用了长度为0.03厘米的碳纳米管，这一长度是在以前的半导体实验中使用的纳米管长度的100倍。

　　在未来十年内，纳米管可能取代硅成为计算机处理器和内存芯片内部的晶体管。纳米管还可以用来在光纤中传输光，或者向特定的细胞中传输微型机器。但是，大规模生产纳米管目前仍然是一个挑战，目前也是一个发展缓慢和代价高昂的过程。

　　由于存在二个因素，碳纳米管的特性是非常明显的：其尺寸使得它能够被用作一维的物体；以及碳元素本身所固有的特性。由于一维的纳米管从本质上看没有高度或者宽度，电子能够在这种材料上流畅地传播，这意味着，除非材料上存在什么缺陷，电子不会分散或损失掉。