作为国债建设的一项重要成就，在12月2日开幕由国家计委、国家经贸委、财政部、国家统计局和北京市政府主办的“谱写现代化建设的新篇章———1998～2002年国债建设成果图片展”上，北京有色金属研究总院的硅材料研究成果吸引了众多参观者。展览显示，以该院为代表的我国硅材料研发力量已经可与世界同行并驾齐驱。
此次展览中，由该院研制成功的我国第一根直径18英寸直拉硅单晶的实物引起众多参观者驻足。
半导体硅单晶材料是半导体集成电路和器件的基础材料，世界上98％的半导体器件由硅片制造。与迅速增长的半导体集成电路和器件用量相对应，世界硅片需求量从1990年的20亿平方英寸增加到1999年的40亿平方英寸，年均增长8％以上。随着集成电路集成度的提高、芯片面积的增大和器件工艺的要求，硅片也在朝不断增加直径方向发展，集成电路的生产制造迫切要求采用更大直径的直拉硅单晶抛光片。据最新的《国际半导体技术指南（ITRS）》提供的资料显示，直径18英寸硅单晶抛
光片是直径12英寸硅单晶抛光片之后的下一代产品，是未来22纳米线宽64G集成电路的衬底材料，目前国际上仍处于基础研究阶段。北京有色金属研究总院成功拉制直径18英寸直拉硅单晶，标志着我国大直径硅单晶研究已经步入世界领先行列。
北京有色金属研究总院是我国半导体材料研究、开发和生产的主要基地，分别于1992年、1995年和1997年拉制成功国内第一根直径6英寸、8英寸和12英寸直拉硅单晶；在国家计委支持下，于2001年建成我国第一条直径8英寸硅抛光片生产线，为我国微电子领域的持续技术创新和产业发展奠定了坚实基础。
此次展览中，由该院研制成功的我国第一根直径18英寸直拉硅单晶的实物引起众多参观者驻足。
半导体硅单晶材料是半导体集成电路和器件的基础材料，世界上98％的半导体器件由硅片制造。与迅速增长的半导体集成电路和器件用量相对应，世界硅片需求量从1990年的20亿平方英寸增加到1999年的40亿平方英寸，年均增长8％以上。随着集成电路集成度的提高、芯片面积的增大和器件工艺的要求，硅片也在朝不断增加直径方向发展，集成电路的生产制造迫切要求采用更大直径的直拉硅单晶抛光片。据最新的《国际半导体技术指南（ITRS）》提供的资料显示，直径18英寸硅单晶抛
光片是直径12英寸硅单晶抛光片之后的下一代产品，是未来22纳米线宽64G集成电路的衬底材料，目前国际上仍处于基础研究阶段。北京有色金属研究总院成功拉制直径18英寸直拉硅单晶，标志着我国大直径硅单晶研究已经步入世界领先行列。
北京有色金属研究总院是我国半导体材料研究、开发和生产的主要基地，分别于1992年、1995年和1997年拉制成功国内第一根直径6英寸、8英寸和12英寸直拉硅单晶；在国家计委支持下，于2001年建成我国第一条直径8英寸硅抛光片生产线，为我国微电子领域的持续技术创新和产业发展奠定了坚实基础。
