中国粉体网讯 1月30日，东台高新区与无锡海古德新技术有限公司就“高性能氮化铝陶瓷材料项目”在江苏富乐华功率半导体研究院正式签约！
该项目投资6亿元，建成后年产氮化铝基板720万片，氮化硅基板300万片。氮化铝与氮化硅是当今最炙手可热的陶瓷基板材料。随着功率器件特别是第三代半导体的崛起与应用，半导体器件逐渐向大功率、小型化、集成化、多功能等方向发展，对封装基板性能也提出了更高要求。
与其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷材料具有明显优势，尤其是在高温条件下氮化硅陶瓷材料表现出的耐高温性能、对金属的化学惰性、超高的硬度和断裂韧性等力学性能。氮化硅陶瓷的抗弯强度、断裂韧性都可达到AlN的2倍以上，特别是在材料可靠性上氮化硅陶瓷基板具有其他材料无法比拟的优势。氮化硅也被认为是综合性能最好的陶瓷材料。
氮化铝是兼具良好的导热性和良好的电绝缘性能少数材料之一，高热导率是氮化铝的突出特点，室温时其理论导热率最高可达320W/(m•K)，是氧化铝陶瓷的8～10倍，实际生产的热导率也可高达200W/(m•K)，有利于LED中热量散发，提高LED性能，在电子封装对热导率的要求方面，氮化铝优势巨大。
据了解，该项目源于清华大学国家863科技成果，并由无锡海古德新技术有限公司投资建设。无锡海古德新技术有限公司是一家拥有自主知识产权、高科技专利技术，集新型陶瓷材料及其电子元件研发、生产、销售为一体的现代化高新技术企业。核心产品高性能氮化铝（AlN）陶瓷材料、氮化硅（Si3N4）陶瓷基板及其元器件。
参考来源：东台高新区公众号、中国粉体网
（中国粉体网编辑整理/山川）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除
