化学法可制备高端碳化硅粉体

日前从廊坊市生产力促进中心了解到，由中科院理化技术研究所研发的化学法制备碳化硅（SiC）粉体新工艺可以批量生产高质量的碳化硅粉体，满足高纯度、高密度、高均匀性等SiC粉体高端市场需求。
                
    据介绍，碳化硅作为一种新材料，因其具有优异的耐磨性、耐热性、耐腐蚀和抗氧化性等特点，广泛应用于军工、电子、冶金、航空航天、汽车等领域。而高质量的β-SiC超细粉体更是制造高级陶瓷材料和电工电子材料的重要原料，也是价格昂贵的超精密研磨材料。
                
    用传统的固相法生产碳化硅，存在反应时间长、产品纯度低、生产耗能高等缺点。而溶胶—凝胶法也存在化学过程复杂，不利于环保以及粉体易发生团聚等问题。化学法碳化硅粉体新工艺选择廉价的原料作为硅原和碳原，用软化学方法合成碳硅前驱体，形成微反应体系，通过煅烧合成高品质的SiC超细粉体。新工艺使合成时间大为缩短，烧结温度也大大降低，产品无须酸洗、精加工粉碎，即可直接得到高质量的超细粉体。
                
    我国每年碳化硅出口量约占世界需求量一半左右，但出口产品多为粗产品，每吨价格不到4000元。而在国际市场上，超细SiC粉体价格为8万元/吨，微米级SiC粉体为2万~3万元/吨。