中国粉体网讯 据《石家庄日报》近日报道，河北普兴电子科技股份有限公司（以下简称“普兴电子”）普兴电子搬迁项目计划于2022年9月竣工投产。
据了解，该项目是今年的河北省重点项目，一期占地130亩，总建筑面积7万平方米，总投资5亿元，主要建设有生产车间、办公研发楼、动力站等，计划于2022年9月竣工投产。项目投产后，普兴电子将达到年产300万片8英寸硅外延片、36万片6英寸碳化硅外延产品的生产能力。全部投产以后，预计全年的产值将达到31亿、利润4亿左右，可以提供500多个就业岗位。
普兴电子已经成功研制出的第三代宽带隙半导体材料碳化硅和氮化镓产品，突破了硅基器件的物理极限，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高、损耗低等特性，在高温、高压、高频、大功率、耐辐射等电子器件领域广泛应用，而这些场景恰恰对器件的散热性能以及可靠性提出了严峻考验。SiC 衬底具有高热导率、高化学稳定性、耐高温等优异性能，基于其制备的第三代半导体器件拥有更高的散热性能，能够提升器件的性能与可靠性，也有利于减小系统散热模块体积。而在 SiC 衬底上制备高质量外延材料是提高器件性能及可靠性，推动第三代半导体在生产生活中的应用的关键。
碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。
据了解，普兴电子是国内最早从事硅外延材料技术研究的企业，主要产品为4-8英寸硅外延片和4-6英寸碳化硅外延片，已经形成了系列化大批量的生产规模。
该公司拥有36项专利，先后荣获中国电子材料行业半导体材料专业十强企业、全国电子信息行业百强优秀企业、河北省著名商标企业等29项国家及省级奖项，近期还获得了石家庄市2021年主导产业专项资金奖励。
参考来源：石家庄日报、普兴电子官网
（中国粉体网编辑整理/山川）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除
