中国粉体网讯 15日，据Wolfspeed发布消息，Wolfspeed位于美国纽约州莫霍克谷的全球最大的8英寸碳化硅（SiC）制造工厂将于美国东部时间4月25日下午2点迎来盛大开业。
据了解，2020年2月，该项目开工。2021年4月设备开始搬入。FAB空间458000平方英尺，其中洁净室空间为135000平方英尺。Wolfspeed表示，在2024年，8英寸SiC晶圆工厂将规划达产；SiC和GaN器件产品业务占比将超过材料业务占比；营收将达15亿美元。
据悉，Wolfspeed这座全新的全自动化功率晶圆制造工厂同时也将满足车规级标准。而与之相辅相成的超级材料工厂的建造扩产，正在位于公司美国北卡罗来纳州达勒姆市总部开展进行。这一全新的制造工厂将显著提升Wolfspeed SiC产能，进一步支持从Si向SiC的转型。
目前在SiC晶圆这一块，Wolfspeed是名副其实的世界老大。Wolfspeed（原CREE公司，Wolfspeed 为原CREE旗下专业从事碳化硅等第三代半导体衬底与器件的技术研究与生产制造的子公司，2021年整体改名为Wolfspeed）成立于1987年，是集化合物半导体材料、功率器件、微波射频器件、LED 照明解决方案于一体的著名制造商。Wolfspeed能够批量供应4英寸至6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶片，目前Wolfspeed公司的碳化硅晶片供应量位居世界第一。排在第二位的是美国II-VI 公司，其成立于 1971 年，是工程材料和光电元件的全球供应商，是世界领先的碳化硅衬底供应商，能够提供 4 至 6 英寸导电型和半绝缘型晶片，并已成功研制 8 英寸导电型碳化硅晶片。
与硅材料相比，以碳化硅为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。随着下游行业对半导体功率器件轻量化、高转换效率、低发热特性需求的持续增加，SiC在功率器件中取代Si成为行业发展的必然。这也是为什么近年来碳化硅领域投资扩产热潮兴起的原因。
参考来源：Wolfspeed、集微网
（中国粉体网编辑整理/山川）
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