中国粉体网讯 日前，位于晋安湖“三创园”的福州高意首条第三代半导体碳化硅晶圆基片生产线进入规模量产，预计年产10万片，产值可达5亿元。该条碳化硅生产线量产后，第二条、第三条生产线也在加快建设，到明年底，福州高意碳化硅基片产能有望突破50万片，产值达30亿元。
高意生产线，来源：今日晋安
据了解，高意是由II-VI公司所组建的光电业务集团，其总部位于中国福州市，也是II-VI公司的亚洲及中国总部所在地。II-VI公司总部位于美国宾夕法尼亚州的萨克森堡，是全球领先的工程材料和光电器件制造商，为工业、光通讯、生命科学、半导体设备和消费电子等领域提供解决方案及相应产品。
以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅为材料制作的功率半导体器件，因其所具备的优异性能与先进性，多年来一直作为“理想的元器件”而备受瞩目。SiC功率元器件现已逐渐成为我们现代日常生活中所普遍使用的“身边的”元器件。从技术的角度来说，与硅基功率器件制作工艺不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，需要在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，所以对碳化硅功率器件来说，其上游衬底及外延制造是产业链上的两大关键环节。
纵观整个碳化硅衬底产业，美国占主导地位，Wolfspeed公司、II-VI公司占据了全球大部分市场份额，Wolfspeed公司占据领跑者的位置，最新消息显示，其位于美国纽约州莫霍克谷的全球最大的8英寸碳化硅（SiC）制造工厂将于美国东部时间4月25日迎来盛大开业。II-VI公司排在全球第二，能够提供 4 至 6 英寸导电型和半绝缘型晶片，并已成功研制 8 英寸导电型碳化硅晶片。同时，II-VI还是一家全球领先的代工厂，在直径为2英寸至6英寸的晶圆上生产高性能外延材料，用于关键的光子和射频半导体元件。
图片来源：II-VI官网
2021年以来，高意加快了在中国扩产的步伐，以服务于全球最大的电动汽车（EV）和清洁能源应用市场。2021年4月15日，II-VI福州总部正式建立了用于SiC导电衬底的后段加工线。高意位于福州的新SiC工厂进行的后端SiC晶圆加工包括边缘研磨、化学机械抛光、清洗和检测，所有加工都在100级和1000级洁净室进行。该工厂是高意已经宣布的计划的一部分，该计划将在5年内将其SiC基板的生产能力提高5到10倍，包括直径200毫米的基板。
（中国粉体网编辑整理/山川）
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