中国粉体网讯 近日，露笑科技发布投资者关系活动记录表公告，在碳化硅产业化规模方面，目前公司已经到位280台长晶炉，有部分已经完成了前期的工艺安装调试，预计7月份大概能出产500-1000片，8月出产1000-2000片。据介绍，公司的实施计划本可以再快一些，但受限于一些辅料耗材进口方面的影响。预计到2022年底，公司能实现月产能5000片的生产规模。目前公司募集资金已到位，公司将加速后期碳化硅产能铺设进程，随着后端相应的切磨抛进口设备到位，预计到明年4月份左右能实现月产能1万片，在2023年实现年产20万片的产能规划。
宽禁带半导体材料属于我国产业政策鼓励发展的关键战略材料，碳化硅衬底材料属于国家产业规划重点应用领域亟需的新材料。根据国家发改委发布的《战略型新兴产业重点产品和服务指导目录（2016年版）》，碳化硅等电子功能材料列入战略型新兴产业重点产品目录。根据2016年12月工信部、国家发改委、科技部与财政部联合发布的《新材料产业发展指南》，宽禁带半导体材料属于鼓励发展的“关键战略材料”，大尺寸碳化硅单晶属于“突破重点应用领域急需的新材料”。此外，继“十二五”、“十三五”后，碳化硅半导体于2021年3月再次被列入“十四五”规划中的重点支持领域。据了解，全球碳化硅衬底产业呈现美国一家独大的局面，美国在碳化硅领域布局较早，因此占据全球碳化硅衬底约60%的市场份额。其中wolfspeed和Ⅱ-Ⅵ公司的市占率分别为45%和13%，wolfspeed的导电型衬底约占62%，半绝缘型为33%，而中国本土企业起步较晚，碳化硅衬底总体市占率在10%左右。
公司碳化硅业务主要通过控股子公司合肥露笑半导体材料有限公司实施。合肥露笑半导体自2021年6月份起，生长和加工设备陆续入场调试。据露笑科技2021年年报显示，截至2021年12月，完成衬底片加工车间建设并投入使用，现已实现了6英寸衬底片的销售，正处于产能爬坡上升期。
据了解，在产业认证方面，公司从去年10月份就已经开始做器件端验证了，目前在SBD这一方面已经过了三轮验证，目前反馈的情况都很不错，公司的碳化硅衬底片在SBD这块应用已经比较成熟了。MOS这块公司尚处于验证过程中。
同时，在碳化硅MOS取代IGBT这个话题上，公司表示如果不考虑快速响应，IGBT比MOSFET具有成本优势，但是有反向恢复损耗。因此，对频率要求不高的场合，IGBT可以存在。但是一旦MOSFET成本下降之后，就有可能取代IGBT。
参考来源：露笑科技投资者关系活动记录表、露笑科技2021年年报
（中国粉体网编辑整理/山川）
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