韩国首个碳化硅外延片量产


来源:中国粉体网   空青

[导读]  SiC(碳化硅)材料专业厂商ArcheArche在韩国京畿道公司总部举行开幕式活动,宣布碳化硅外延片(简称SiC Epi)正式量产。

中国粉体网讯  据CINNO Research报道,SiC(碳化硅)材料专业厂商ArcheArche在韩国京畿道公司总部举行开幕式活动,宣布碳化硅外延片(简称SiC Epi)正式量产,启动硅碳化(SiC)核心材料国产化。




据悉,Arche公司成立于2014年,是一家专注于通过蒸镀SiC Epi,为半导体设备厂商供应SiC材料的专业厂商。成果开发出电力半导体核心技术之一SiCEpitaxy(Epi)晶圆。去年成功引进了100亿韩元(约5496万人民币)的投资,今年开始预计将正式产生销售额。


碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。实际应用中对外延层质量的要求非常高。而且随着耐压性能的不断提高,所要求的外延层的厚度就越厚,成本也会相应调整。


基于SiC的电力半导体市场一般按照SiC晶圆→SiC Epi→芯片厂商→模组→需求企业的结构构成价值链。Arche生产从晶圆到芯片的中间过程SiC Epi晶片,并供应给芯片厂商。


Arche目前拥有德国芯片设备制造商爱思强(Aixtron)生产的G4蒸镀设备。Arche方面进一步引进了新的G5蒸镀设备(MOCVD),预计3月份完成建设。在完成对相关设备的爬坡及良率稳定工作后,预计从今年第四季度开始正式量产产品。


电力半导体负责调节需要电力的电子产品、电动汽车、氢能源车、5G通信网络等电流方向,并起到控制电力转换的作用。以电动汽车为中心在多个领域应用,最近以SiC为材料制成的电力半导体备受关注。因为与现有硅(Si)等材料不同,SiC在耐久性方面具有卓越性。


SiC功率半导体具有高耐久性的特点,在高温和高压的极端环境下可保持98%以上的电力转换效率。另外,其兼具安全性和通用性,作为代替现有硅电力半导体市场的新一代产品,需求正在激增。


目前,Arche正准备生产用于电动汽车的650V和1200V级SiC Epi晶圆。其目标是未来通过持续研发,开发出除3000V和6000V外,还可用于航空航天、国防领域的12000V级的材料。


Arche公司代表徐尚俊表示,“Arche通过高性能的设备,多年薄膜工艺的Know how,分析系统的最优化,确保了高品质的量产技术“,并称“在下一代电力半导体市场,阿凯是SiC Epi的专业企业,将引领国内SiC材料技术国产化。”


来源:财经网


(中国粉体网编辑整理/空青)

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