中国粉体网讯
▶ 泰科天润：碳化硅功率器件(芯片)生产二期项目签约落户浏阳经开区，一、二期项目全部满产后，产值可达13-15亿元。
▶ 振华科技：募资超25亿，拟建设6英寸碳化硅器件制造线等项目，年产能为12万片。
泰科天润 SiC二期项目签约
2月3日，长沙市举行2023年项目签约活动——共38个项目，其中包含泰科天润碳化硅功率器件(芯片)生产二期项目。
据了解，2019年泰科天润在浏阳经开区落地建设了一条6英寸的碳化硅功率芯片量产线，满产产值可达13-15亿元人民币。该项目总投资7亿元，分两期建设完成，其中，一期总投资5亿元，满产后可实现6万片/年的6英寸碳化硅功率芯片，2021年7月，一期项目已经进入生产阶段，综合良率90%以上。
泰科天润产品布局
除此之外，在2022年底泰科天润就开始布局碳化硅8寸线，预计2024-2025年实现10万片/年的产能布局。
振华永光电子 拟建SiC基功率器件制造线
2月7日，振华科技发布公告，振华科技拟非公开发行股票募集资金总额不超过25.18亿元，募集资金拟建设半导体功率器件产能提升项目、混合集成电路柔性智能制造能力提升项目等。中国证监会决定对振华科技提交的非公开发行A股股票行政许可申请予以受理。
其中，半导体功率器件产能提升项目总投资为7.9亿元，拟建设一条6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造线，年产能为12万片。
此外，该项目还计划将陶瓷封装、金属封装两条生产线的烧结、压焊工序整合，采用自动化设备进行生产，新增产能400万只/年；并针对现有的塑封生产线进行拓展，新增产能2600万只/年。
据悉，该项目建设周期为36个月，项目实施主体为振华科技的全资子公司振华永光电子（国营第八七三厂）。
振华科技主业经过持续的结构调整、转型升级，现已向核心业务新型电子元器件高度集中。IGBT及其模块、船用真空开关管、微波芯片电容、宇航级熔断器、大功率接触器、气密封微动开关和LTCC滤波器等高端产品取得实质突破，进一步丰富中高端产品技术内涵；超级电容模块、宇航级电容器、宇航级电阻器、温补衰减器、MIS硅电容、插件功率电阻等一批新产品实现供货。
来源：行家说三代半 、浏阳经开区管委会
（中国粉体网编辑整理/空青）
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