中国粉体网讯 近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。
氧化镓拥有超宽带隙（4.2-4.9eV）、超高临界击穿场强（8MV/cm）、超强透明导电性等优异物理性能，导通特性约为碳化硅的10倍，理论击穿场强约为碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域在能源方面的消耗。
在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。业内普遍认为，氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓成为新一代半导体材料的代表。据NCT预测，到2030年氧化镓晶圆的市场将达到约590亿日元（约4.2亿美元）。有数据显示，到2030年，氧化镓功率半导体市场规模将达15亿美元。
氧化镓单晶（来源：浙江大学杭州国际科创中心）
但氧化镓具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。目前氧化镓单晶衬底供应方面，日本NCT公司占有全球90%以上的市场份额。国内看，我国研究氧化镓的机构和高校较多，也取得了很多研究成果，有望在应用场景和需求量逐渐明确之后，进行科技成果转移。
中国电科46所始建于1958年，是国内最早从事半导体材料和光纤研究与生产的单位之一，自成立以来致力于为我国电子信息提供高性能、高可靠的各类电子功能材料，成功研制出我国第一颗硅单晶、第一颗四英寸和六英寸砷化镓单晶及第一批熊猫型保偏光纤等，为我国电子功能材料的发展做出了突出贡献。
中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制。
参考资料：中国电科、每日经济新闻、财联社
（中国粉体网编辑整理/长安）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除！
