中国粉体网讯 近日，村田官网发布消息，公司生产子公司Murata Integrated Passive Solutions将在法国卡昂新建一条200mm晶圆生产线，以扩大硅电容器的产能，生产的硅电容器将用于植入式医疗设备、电信基础设施和移动电话。
据悉，此次新建的200mm晶圆生产线，采用独特的PICS领先技术，该技术在电气特性方面具有更高的性能，这些产品尺寸超小，厚度低至40µm，主要面向具有超高性能和电容值的手机市场。
该产线将于2023年春季开始筹建，安装在现有建筑物内部。通过此次扩建，村田将在2023~2025年期间创造100多个新工作岗位。
什么是硅电容器？
硅电容利用硅材质制作而成，它跟普通电容类似，也是上下都是极板，中间是介电层，不同点是介电层使用的是硅材料。
硅电容在性能上有不少优势:
1）硅的稳定性能比较好，因此硅电容也相应具有出色的高频特性和温度特性、极低的偏置特性、很高的可靠性，以及低背化等特性。
2）硅电容还做得更小更薄，标准化的硅电容可以做到100微米，定制化的可以做到40~50微米。
3）硅电容这样的底部电极品更适合高速信号线，越接近阻抗连续性更好，信号品质更好。
4）硅电容器可靠性更高，工作电压下可保证100摄氏度，10年寿命。
5）硅电容器件本身插损很小，相比其他宽带电容产品，插损优势很明显。
6）硅电容的绝缘阻抗很高，优于陶瓷电容和钽电容。
据了解，硅电容器主要应用于LC滤波器、毫米波T/R组件、移动通讯基站、手机终端、医疗MRI及线圈等领域。据相关市场数据，目前整体硅电容器市场年用量预计达93亿个，年产60万片，手机终端市场占比最高，年用量将近60亿个。
村田硅电容的内部3D结构
村田硅电容器的3D结构是利用干法蚀刻技术的BOSCH工艺。BOSCH工艺是硅加工特有的技术，它可以让通过SF6气体进行蚀刻和通过C4F8形成保护膜高速重复，从而实现高纵横比蚀刻。
与MLCC相比，正是因为采用高纵横比的3D结构，通过蚀刻工艺，有效的增加了电容器表面，使的硅电容器具有更稳定的电气特性。另外，使用适当的高介电常数材料以及使用适当的沉积技术制造，使器件具有高介电常数。
尽管硅电容器拥有超小尺寸、超高频率、高容量、可靠性和稳定性等特点，但技术壁垒极高，因此过去主要用于航空航天、军工雷达等领域，民用市场占比不到1%。
根据市场研究公司Transparency Market Research的数据，2021年全球硅电容器市场价值15.8亿美元。从2022年到2031年，预计将以5.4%的CAGR（复合年增长率）增长。同时，根据Mordor Intelligence的一项研究，2021年全球MLCC市场规模达到116.3亿美元，预计2022年至2027年的复合年增长率为6.03%。
在硅电容器领域，村田有绝对的“话语权”。村田制作所于2016年10月收购的原法国IPDiA，之后更名为Murata Integrated Passive Solutions。该公司总部位于法国诺曼底卡昂，负责开发和生产3D硅电容器，主要用于植入式医疗设备、高可靠性应用、电信基础设施、汽车和移动设备。
收购了前IPDiA之后，主营MLCC的村田制作所将硅电容器定位为“下一步行动”，而这一次的扩产更像是“催化剂”，硅电容器也将成为下必争之地。
来源：村田官网、Murata村田中国公众号、36氪、和讯网
（中国粉体网编辑整理/空青）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除
