中国粉体网讯 3月14日，三菱电机公司宣布，将截至2026年3月的五年内之前宣布的投资计划翻一番，达到约2600亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。根据该计划，三菱电机预计将响应快速增长的电动汽车SiC功率半导体需求，并扩大新应用市场，例如低能量损耗、高温运行或高速开关等。该计划还将使三菱电机能够为全球节能和脱碳的绿色转型趋势做出贡献。
新的 8英寸SiC晶圆厂图
新增投资的主要部分，约1000亿日元，将用于建设新的8英寸SiC晶圆厂和增强相关生产设施。新工厂将合并熊本县酒酒井地区的自有设施，将生产大直径8英寸SiC晶圆，引入具有最先进能源效率和高水平自动化生产效率的无尘室。此外，该公司还将加强其6英寸SiC晶圆的生产设施，以满足该领域不断增长的需求。
此外，三菱电机将新投资约100亿日元用于新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的组装和检查。集设计、开发、生产技术验证于一体，将大大提升公司的开发能力，便于及时量产以响应市场需求。剩余的200亿日元全部为新投资，将用于设备改进、环境安排和相关运营。
多年来，三菱电机在引领家电、工业设备、轨道车辆等领域SiC功率模块市场的同时，包括全球首款空调和高铁SiC功率模块，在高功率领域积累了丰富的专业知识。 SiC功率半导体生产的性能、高可靠性筛选技术和许多其他方面。
（中国粉体网编辑整理/空青）
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