中国粉体网讯 在整个碳化硅产业链中，外延片起到承上启下的作用，至关重要。就目前来看，现有的器件基本都是在外延层上实现的，所以对外延层质量的要求相当的高，其质量直接影响器件的性能。
碳化硅产业链
数据显示，衬底成本大约占晶片加工总成本的50%，外延片占25%，器件晶圆制造环节20%，封装测试环节5%。SiC衬底成本高昂，生产工艺还复杂，与硅相比，SiC很难处理。
目前，碳化硅单晶与外延生长还处于6英寸阶段，扩大尺寸成为产业链降本增效的主要路径，然而在迈向8英寸过程中还存在诸多技术难题。
近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。
厦门大学科研团队负责人表示，其克服了8英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题，成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。
外延层厚度为12 um，厚度不均匀性为2.3 %；掺杂浓度为8.4×1015cm-3，掺杂浓度不均匀性＜7.5 %；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜ 0.5 cm-2。
进入八英寸，每片晶圆中理论上可用的裸片数量（GDPW，又称PDPW）大大增加。单从晶圆加工成本来看，从六英寸升级到八英寸，成本是增加的，但是八英寸晶圆得到的优良die数量增加了20-30%，产量更高，所以芯片成本更低。
据悉，本次技术成果的实现是厦门大学与瀚天天成电子科技(厦门)有限公司等单位产学研合作的。官方资料显示，瀚天天成一直致力于研发生产SiC外延片，均可供应4-6 英寸外延片，其“6-8英寸SiC外延晶片研发与产业化项目”被列为厦门市2023年重点项目之一。早在21年瀚天天成突破了碳化硅超结深槽外延关键制造工艺。
碳化硅超结深槽外延关键制造工艺
在2022年8月，其新增了75条碳化硅外延晶片生产线，预计新增产能年产碳化硅外延晶片30万片。
本次科研团队负责人表示，此次突破，标志着我国已掌握8英寸碳化硅外延片生产的相关技术。
来源：第三代半导体、湖杉资本、瀚天天成官网、中国粉体网
