中国粉体网讯 以SiC为代表的第三代半导体材料的开发与应用已写入“十四五规划”，国家在三代半领域事业正如火如荼地推进着。随着航天、航空、石油勘探、核能、汽车等电力电子领域的发展，尤其是新能源汽车的快速发展，在国产替代呼声高涨及政策的推动下，我国半导体市场持续不断地升温。目前，我国碳化硅半导体相关标准完善工作仍在持续推进。
近日，T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基准标记及尺寸》等3项系列标准已完成征求意见稿的编制，并于2023年3月22日起开始征求意见，截止日期为2023年4月21日。据了解，该系列标准由山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中电化合物半导体有限公司等单位联合起草。
T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基准标记及尺寸》规定了8英寸碳化硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称“碳化硅晶片”）基准标记及尺寸。适用于4H晶片，产品主要用于制作晶体管、整流器件等。该标准于2022年7月11日正式立项。
T/CASAS 026—202X《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导法》规定了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。标准适用于4~12 英寸碳化硅衬底片和碳化硅外延片。同时也适用于少数载流子寿命为20 ns~1 ms 的碳化硅晶片。该项目于2022年11月21日正式立项。
T/CASAS 032—202X《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》规定了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。该标准适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞元素含量的测定，测定范围为108 cm-2~1012 cm-2。适用于4~8 英寸碳化硅晶片，甚至更大尺寸的晶片。同时也适用于碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。该项目于2022年11月21日正式立项。
信息来源：第三代半导体技术创新战略联盟
（中国粉体网编辑整理/山川）
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