中国粉体网讯 1月16日，日本精密陶瓷株式会社（简称 JFC）在宫城县富谷市高屋敷西工业园举行了新工厂奠基仪式，目的是增加用于功率半导体的高导热氮化硅基板的产量。
为了实现低碳和脱碳社会，控制电动汽车（EV）、高速铁路和工业设备节能不可或缺的各种设备的功率半导体市场预计将在中长期内大幅扩大。为了提高功率半导体的性能，必须提高有效消散功率半导体产生的热量的绝缘散热基板的性能，而JFC生产的氮化硅陶瓷基板除了到导热率外，还具有优异的机械性能和绝缘性能。
据悉，JFC于2020年开始量产氮化硅基板，2023年10月，为了进一步提高产量，JFC富谷办事处的工厂开始运营。为了满足汽车制造商和功率半导体电路板制造商进一步增加产量的要求，新工厂的建设已经开始，规划建设用地约12.5公顷，投资额约100亿日元，计划于2025财年开始全面运营。
JGC集团在2021财年至2025财年的5年中期经营计划“BSP2025”中，以扩大催化剂、精细化学品、精细陶瓷产品等高性能材料的制造业务为优先战略。未来，JGC将继续积极扩大高性能材料制造业务，包括高导热氮化硅基板。
来源：JGC官网、粉体网编辑翻译
（中国粉体网编辑整理/空青）
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