中国粉体网讯 当前，从光伏到新能源汽车，碳化硅下游市场需求旺盛，特别是随着电动汽车和新能源需求的持续增长，对SiC材料的需求呈现出井喷式增长的态势。随着SiC热度高涨，SiC产业6英寸向8英寸转型趋势加速，国际方面8英寸晶圆制造已迈向量产前夕，国内厂商方面则有更多厂家具备量产能力，产业链条进一步完善成熟。
碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节，其中制备重难点主要是晶体生长和切割研磨抛光环节，是整个衬底生产环节中的重点与难点，成为限制碳化硅良率与产能提升的瓶颈，且8英寸与6英寸碳化硅晶圆的制造工艺有很大差别，也更为复杂。
纵观国际厂商，海外大厂Wolfspeed、英飞凌、博世、onsemi等公司8英寸晶圆量产时间集中于2024年下半年至2026年期间。3月，Wolfspeed碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶；三菱电机预计今年4月将在日本开建新的8英寸SiC工厂，并计划2026年投入运营；4月，韩国釜山市正计划投建2座8英寸SiC/GaN功率半导体生产设施，最快将于明年下半年开始。
回看国内厂商，在量产时间上与国际大厂仍然存在一定时间差，但国内厂商正向8英寸时代“进攻”。天科合达北京基地正在招标8英寸衬底量产线设备，包含加工产线的倒角-抛光-研磨-清洗及各类测试设备等产品。表明天科合达将进一步布局8英寸量产产能；天岳先进用液相法制备的无宏观缺陷的8英寸衬底是业内首创，据该公司消息，其已在8英寸碳化硅衬底上具备量产能力；烁科晶体实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一步。
此外，还有许多国内企业如湖南三安、南砂晶圆、晶盛机电、合盛硅业等在8英寸SiC衬底、设备等领域取得进展突破。同光股份、乾晶半导体、超芯星、粤海金、东尼电子、天成半导体等厂商也已经涉足8英寸SiC衬底，未来，有望诞生更多8英寸衬底材料、设备等方面的先进技术，推动国产化进程。
2024年4月25日，中国粉体网将在江苏苏州举办“第三届半导体行业用陶瓷材料技术研讨会暨第三代半导体SiC晶体生长技术交流会”，届时，山西烁科晶体有限公司总经理助理马康夫将带来《8英寸SiC单晶衬底发展浅析》的报告，马康夫将综述国内外8英寸碳化硅的发展现状，并简析8英寸碳化硅单晶衬底制备的技术难点。最后简述山西烁科晶体有限公司8英寸碳化硅衬底的技术现状，并对碳化硅产业的发展进行展望。
个人简介
马康夫，博士，高级工程师，现任中电科半导体材料有限公司SiC材料技术专家，山西烁科晶体有限公司总经理助理。从事SiC材料研发多年，承担及参与省部级项目10余项。获山西省“三晋英才-青年优秀人才”称号，获中国电子科技集团公司科技进步一等奖1项，三等奖1项。在国内外发表相关研究论文10余篇，申请专利10余项。
来源：
全球半导体观察：SiC迈入8英寸时代，国际大厂量产前夕，国内厂商风口狂追
粉体网
（中国粉体网编辑整理/空青）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除
