中国粉体网讯 4月5日，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利，申请公布号为CN117822097A，申请日期为2022年9月28日。
来源：国家知识产权局
该专利摘要显示，本申请实施例公开了一种挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法，涉及碳化硅晶体技术领域，有效改善晶体质量。具体方案为：于晶体生长炉内设置挡板，该挡板的通道可改变炉体内气相源的运动方向，将气相源的运动方向改变为斜向上，使气相源朝向籽晶的小面运动。本申请实施例可提高晶体的生长速度，提高晶体的厚度和质量，降低微管密度。另外，选用低密度石墨作为挡板的材料，当通道被封堵后，低密度石墨内的孔隙可以供气体通过，能进一步降低晶体内包裹物的含量，提高晶体质量。
这些年，华为正在全力布局SiC产业。
2021年9月底，华为发布了《数字能源2030》白皮书，华为强调，未来十年是第三代功率半导体的创新加速期，渗透率将全面提升。而碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。
可以看出，华为自是不会放过SiC这块“肥肉”，这些年从电驱、充电桩，到衬底、外延、器件制造，华为基本投资了一整条SiC产业链。
SiC衬底：山东天岳和北京天科合达
天岳先进
早在2019年8月，华为旗下子公司——哈勃科技创业投资有限公司（哈勃投资），就参与了天岳先进的A轮融资。截至2022年末，哈勃投资持有上市公司股权比例为6.34%，位列天岳先进第四大股东。
天岳先进成立于2010年，是一家宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商。主要产品包括半绝缘型和导电型SiC衬底。经过十余年发展，公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型SiC衬底制备技术。2023年天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。目前，在全球导电型碳化硅衬底材料市场，天岳先进超过高意跃居全球第二。而在半绝缘型碳化硅衬底材料市场，根据YOLE报告，截至2022年，天岳先进市场占有率连续四年保持全球前三。
天科合达
2019年10月，哈勃投资了北京天科合达半导体股份有限公司（简称：天科合达），在发行前哈勃投资为天科合达的第五大股东，持股比例为4.82%。
天科合达成立于2006年9月，是从事第三代半导体材料——碳化硅晶片及相关产品研发、生产和销售的高新技术企业。公司目前拥有北京总部基地、北京研发中心和三家全资子公司，一家控股子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。据YOLE集团发布报告，2021至2022年，全球碳化硅衬底市场实现快速增长，在2022年全球衬底市场规模达到6.92亿美元。同时，YOLE集团还对国内碳化硅衬底的市场占有率进行评估，认为天科合达导电衬底2022年在国内占据60%左右的市场份额。
SiC外延：瀚天天成和天域半导体
瀚天天成
2020年12月，哈勃突击入股瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司（简称：瀚天天成），现持股比例为4.197%。
瀚天天成成立于2011年，是一家中美合资企业，主要从事碳化硅外延晶片的研发、生产及销售，外延晶片月产能约4万片。瀚天天成是国内首家实现商业化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片批量供应的生产商，同时也是国内少数获得汽车质量认证（IATF 16949）的碳化硅外延生产商之一。根据CASA统计数据，按外销市场和自供市场全球出货量统计（等效6英寸），瀚天天成2022年全球市场占有率约为19%；按外销市场出货量统计（等效6英寸），瀚天天成2022年全球市场占有率约为38%。瀚天天成的6英寸碳化硅外延晶片主要为N型外延片，广泛应用于新能源车、光伏领域所需碳化硅功率器件的生产制造。
目前，瀚天天成已经实现了国产更大尺寸，8英寸碳化硅外延片技术的突破并已经获得了客户的正式订单。
天域半导体
2021年7月，广东天域半导体股份有限公司（简称“天域半导体”）获得华为哈勃的天使轮融资。
天域半导体成立于2009年，坐落在中国第三代半导体南方重镇东莞，是一家专业从事第三代半导体SiC外延晶片研发、生产和销售的国家高新技术企业。同时，其也是中国第一家获得汽车质量认证(IATF 16949) 的碳化硅半导体材料供应链的企业。2012年天域半导体完成了N型外延片研发；2013年又完成P型外延片的研发，并开始向客户供应P型碳化硅外延片；2014年公司6英寸外延片研发成功，正式向客户供货；2018年公司新引进生产线调试完成，4英寸、6英寸碳化硅外延片产能达到量产规模。
目前，天域半导体在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD，已实现4、6英寸外延片全系列产品的量产，并提前布局国内8英寸碳化硅外延片工艺线的建设及相关工艺技术，正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。
SiC器件：东微半导体
2020年7月，华为哈勃投资了东微半导体股份有限公司（简称东微半导体），华为哈勃持股4.94%。
东微半导体成立于2008年，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。
SiC设备：特思迪
2022年2月，北京特思迪半导体设备有限公司（简称：特思迪）获得华为哈勃投资，持股比例达到10%。
特思迪成立于2020年，是一家专注于半导体领域表面加工设备的研发、生产和销售，针对半导体衬底材料、半导体器件、先进封装、MEMS等领域，产品包括减薄机、抛光机、CMP以及贴蜡/清洗/刷洗等机器。在2023年，特思迪持续发力SiC衬底行业磨抛设备，不断提升6英寸机台的工艺指标，并且开发8英寸碳化硅磨抛工艺和设备。就在2023年5月，特思迪减薄-抛光-CMP设备生产二期项目签约落地北京市顺义区。
SiC耗材：德智新材
2021年9月，深圳哈勃入股湖南德智新材料有限公司（简称“德智新材”），认缴出资额为294.39万元，持股比例为16.66%。
德智新材是一家专业从事碳化硅纳米镜面涂层及陶瓷基复合材料研发、生产和销售的高新技术企业。公司致力于高制程半导体生产关键耗材的生产，拥有国内领先的技术、设备和高水平研发团队，是国内头部的SiC涂层石墨基座、SiC蚀刻环供应商。2020年，德智新材自主设计的国内最大化学气相沉积设备正式投入使用，SiC涂层石墨基座顺利实现产业化，成为国内半导体行业突破国外技术垄断的关键产品之一。
目前，德智新材半导体用SiC蚀刻环项目已率先在国内实现了量产交付。产能方面，德智新材半导体用碳化硅蚀刻环项目于2022年6月完成了主体工程建设。该项目总投资约2.5亿元，主要用于半导体用碳化硅蚀刻环的研发、制造，投产后年产值超1亿元。
来源：
电子发烧网、粉体网
半导体行业观察：SiC整条产业链，华为投全了
市值风云：华为、宁德站台，神秘客户抬爱，扩产如火如荼，“碳化硅第一股”天岳先进：值得拥有吗？
（中国粉体网编辑整理/空青）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除
