中国粉体网讯 8月6日，安徽陶芯科半导体新材料有限公司（简称：陶芯科）与安徽工程大学的合作签约仪式盛大举行，双方携手共同成立覆铜陶瓷基板联合研发中心。
强强联手，攻克难题
安徽工程大学是一所以工为主的省属多科性高等院校和安徽省重点建设院校，在信息功能陶瓷材料、无机半导体材料、金属材料及增材制造、能量转换与存储材料等方面具有明显特色与优势。
陶芯科专注从事功率半导体用高性能覆铜陶瓷基板(DBC)的设计、研发、生产和销售。公司产品被广泛运用于IGBT功率模块、半导体制冷器、5G射频器件、整流桥晶闸管、变频器、新能源汽车、汽车充电桩、风力发电、智能电网、航空航天等领域。目前，陶芯科投资建设的高性能陶瓷覆铜基板生产项目一期年产120万片DBC覆铜陶瓷基板已于2023年6月建设完毕进入投产阶段，新增产值1.5亿元。
双方决定在覆铜陶瓷基板的新工艺开发、陶瓷基板原材料的制作等多方面进行深入研发，共同攻克技术难题，提升产品性能和质量。此外，还将积极申报重大科技专项项目，争取更多的政策支持和资源投入，为推动我国半导体材料领域的创新发展贡献力量。
覆铜陶瓷基板散热核心封装材料
近年来，新能源汽车的爆发式发展，也带来了车规功率模块需求的快速增长。
覆铜陶瓷基板是通过特殊工艺在陶瓷基片单/双表面结合铜材的基板，在功率半导体产品中应用广泛，重要性仅次于芯片，是高功率高散热产品的核心封装材料之一。
陶瓷覆铜板按照工艺一般可分为：DPC（直接电镀陶瓷基板）、DBC（直接覆铜陶瓷基板）和AMB（活性金属钎焊陶瓷基板），具有导电互联、电气绝缘、散热通道和机械支撑等优良功能。其中DBC和AMB在功率半导体中被大量应用。尤其是Si3N4 AMB陶瓷基板很好地满足了车规SiC功率模块的性能需求。
来源：公司官网、今日祁门
（中国粉体网编辑整理/空青）
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