中国粉体网讯 2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶亦精微科技股份有限公司取得一项名为“晶圆光电化学机械平坦化装置及方法”的专利，助推晶圆抛光。
发明专利申请 来源：国家知识产权局
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)作为一种工业上实现超精密机械加工的技术，因其能够完美地兼顾全局平坦化、材料表面缺陷及使用可靠性，而广泛应用于精密光学、航空航天、信息技术等领域。
CMP工艺 来源：燕禾等，化学机械抛光技术研究现状及发展趋势
化学机械抛光设备系依托CMP技术的化学-机械动态耦合作用原理，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化——全局平整落差5nm以内的超高平整度；其是一种集摩擦学、表/界面力学、分子动力学、精密制造、化学/化工、智能控制等多领城最先进技术于一体的设备，是集成电路制造设备中较为复杂和研制难度较大的专用设备之一。
北京晶亦精微科技股份有限公司是由北京烁科精微电子装备有限公司（烁科精微）整体变更发起设立的股份有限公司。于2019年9月23日在北京经济技术开发区注册成立，是一家国家级高新技术企业。公司聚焦集成电路核心装备CMP核心主业，围绕产业化和市场化进程中亟待突破的技术和经营短板，不断推进CMP设备研发与产业化进程，不断加强能力建设、构建经营发展体系，不断夯实核心竞争力。
来源：北京晶亦精微科技股份有限公司官网
此发明提供了一种晶圆光电化学机械平坦化装置及方法，包括加工平台以及第一抛光盘和第二抛光盘，第一抛光盘的上方设有第一抛光头和第一抛光液喷管，第二抛光盘的上方设有第二抛光头和第二抛光液喷管；第一抛光盘的上方还设有紫外灯，第二抛光盘的上方还设有蓝光灯。该发明提供的晶圆光电化学机械平坦化装置，在第一抛光盘的上方设置了紫外灯，利用紫外灯提高晶圆的氧化效率，实现晶圆的快速去除，在第二抛光盘的上方设置了蓝光灯，利用蓝光灯平衡电化学机械抛光过程中晶圆表面电荷，对晶圆的表面形成修复作用，有助于提高面型质量，通过紫外光和蓝光的结合有效地提高了晶圆的抛光效率，降低了晶圆的损坏概率，提高了晶圆的表面加工质量。
参考来源：
[1] 燕禾等，化学机械抛光技术研究现状及发展趋势
[2] 许宁等，CeO2基磨粒在化学机械抛光中的研究进展
[3] 智研资讯、北京晶亦精微科技股份有限公司官网、国家知识产权局
（中国粉体网编辑整理/山林）
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