中国粉体网讯 近日，由奥趋光电技术（杭州）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测方法腐蚀坑密度测量法》、由中国科学院半导体研究所牵头起草的标准T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片吸收系数测试方法》已完成征求意见稿的编制，正式面向北京第三代半导体产业技术创新战略联盟成员单位征求意见，非联盟成员单位如有需要，可发送邮件。
氮化物宽禁带半导体，包括氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）等，在蓝光－紫外光电器件、高频大功率电子器件等领域具有重要应用。AlN具有高绝缘性、高热导率、高紫外透射率、较强的抗辐射能力以及高化学稳定性与热稳定性等优良特性，其原料来源丰富且无污染，可广泛应用于微电子与光电子领域。
奥趋光电技术（杭州）有限公司始创于2016年5月，是一家由半导体领域顶尖技术专家、海外归国学者团队领衔创立的高科技创新型企业，奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝单晶晶圆衬底材料、硅基/蓝宝石基/碳化硅基氮化铝及铝钪氮薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售。
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奥趋光电牵头起草的T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测方法腐蚀坑密度测量法》描述了用择优化腐蚀技术测试氮化铝抛光片中位错密度的方法，包括方法原理、仪器设备、测试条件、样品、测试步骤、结果计算和测试报告。该文件适用于抛光加工后位错密度小于10*7个/cm2的氮化铝抛光片位错密度的测试，适用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直径氮化铝抛光片的测试。氮化铝外延片可参照使用。
中国科学院半导体研究所于1960年9月6日在北京成立，拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；两个全国重点实验室——光电子材料与器件全国重点实验室、半导体芯片物理与技术全国重点实验室；一个院级实验室——中国科学院固态光电信息技术重点实验室。此外，还设有纳米光电子实验室、人工智能与高速电路实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、宽禁带半导体研发中心、光电子工程中心、半导体集成技术工程研究中心和元器件检测中心。
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半导体所牵头起草的T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片吸收系数测试方法》描述了氮化铝（AlN）抛光片光吸收系数的测试方法，包括原理、仪器设备、测试条件、样品、测试步骤、结果计算和测试报告。该文件适用于氮化铝抛光片的光学质量控制和评估。氮化铝外延片可参照使用。
参考来源：
[1] 付润定，AlN体单晶的性质、抛光与外延研究
[2] 奥趋光电官网、第三代半导体产业技术战略联盟、中国科学院半导体研究所官网
（中国粉体网编辑整理/山林）
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