中国粉体网讯 近日，国家知识产权局信息显示，湖南皓志科技股份有限公司取得一项名为“一种碳化硅晶圆抛光用的球形纳米氧化铝抛光液”的专利，抛光液移除速率高、悬浮分散性能好。
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术具有独特的化学和机械相结合的效应，是在机械抛光的基础上，根据所要抛光的表面，加入相应的化学试剂，从而达到增强抛光和选择性抛光的效果。化学机械抛光液的性能是影响化学机械抛光质量和抛光效率的关键因素之一。抛光液一般包含氧化剂、络合剂、表面活性剂、磨料、pH调节剂、腐蚀抑制剂等成分，各种添加剂的选择和含量对抛光效果都会产生很大的影响。
目前市场上使用最为广泛的几种磨料是SiO2、CeO2、Al2O3。其中Al2O3凭借其硬度高、稳定性好等优点，广泛应用于蓝宝石、碳化硅等材料的CMP技术中。Al2O3具有10余种晶型，其中常见的为α、β、γ等，一般选用50～200nm粒径分布均匀的α-Al2O3作为抛光磨粒。
但是，Al2O3磨粒在水溶液中由于静电力等作用容易团聚成大颗粒胶团，出现絮凝分层等现象，导致抛光液稳定性较差。
来源：皓志科技官网
湖南皓志科技股份有限公司是一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业。公司专注于抛光材料，镀膜材料和调光产品三大系列产品。其中抛光粉产品主要应用于液晶玻璃基板，手机盖板，盘基片，精密光学玻璃等领域；研磨液、抛光液产品主要应用于半导体硅片、蓝宝石衬底片、窗口片、高档五金、手机外壳等领域；纳米银线系列产品应用于触控面板、柔性显示、薄膜太阳能电池等领域；调光系列产品应用于行政办公场所、酒店、医疗机构、银行、商场以及高档住宅、别墅等领域。
来源：皓志科技官网
皓志科技本次发明公开的一种碳化硅晶圆抛光用的球形纳米氧化铝抛光液，涉及半导体碳化硅晶圆抛光材料制备技术领域，其所用原料的重量百分比分别为：氧化铝0.5‑55、氧化剂0.05‑25、抑制剂0.1‑10、表面活性剂0.01‑12、分散剂0.01‑15、pH调节剂0.1‑10、余量为高纯水；其制备过程为：①备料；②磨料预处理；③混合；④pH值调节；⑤高压均质。
此次发明的球形纳米氧化铝抛光液具有移除速率高、悬浮分散性能好、对碳化硅晶圆表面无损伤、且表面粗糙度值极低、循环使用寿命长、易清洗、通用性好等特点，适用于半导体碳化硅晶圆的CMP抛光。
参考来源：
[1] 孟凡宁等，化学机械抛光液的研究进展
[2] 国家知识产权局、皓志科技官网、中国粉体网
（中国粉体网编辑整理/山林）
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