中国粉体网讯 近日，国家知识产权局信息显示，北京晶亦精微科技股份有限公司取得一项名为“一种自降温的晶圆抛光方法”的专利，可以在抛光工艺中实现自降温。
来源：国家知识产权局
晶圆，作为半导体芯片的核心载体，其表面质量直接决定着芯片的性能和可靠性。而晶圆抛光就是为了实现晶圆表面的极致平滑，去除微小的瑕疵和不规则，为后续的芯片制造工序奠定坚实的基础。
化学机械抛光（CMP）结合了机械摩擦和化学腐蚀的双重作用，是目前半导体制造中最常用的抛光方法。CMP不仅能有效去除晶圆表面的粗糙层和多余物质，还能在保证高平坦度的同时，减少对晶圆表面的损伤。
化学机械抛光液的性能是影响化学机械抛光质量和抛光效率的关键因素之一。抛光液一般包含氧化剂、络合剂、表面活性剂、磨料、pH调节剂、腐蚀抑制剂等成分，各种添加剂的选择和含量对抛光效果都会产生很大的影响。抛光液具有技术含量高、保密性强、不可回收等特点，这使其成为CMP技术中成本最高的部分。
抛光垫在CMP系统中也起着不可或缺的重要作用，对抛光工件的表面质量和材料去除率的影响较大。在抛光过程中，抛光垫主要有以下两点作用：与磨粒一起对工件表面形成机械磨削作用；运输和储存抛光液，使抛光液与工件表面发生氧化反应等。
北京晶亦精微科技股份有限公司本次发明涉及一种自降温的晶圆抛光方法。自降温的晶圆抛光方法包括：提供晶圆，所述晶圆的莫氏硬度为8～10；利用抛光头将所述晶圆固定在抛光垫上，所述抛光垫的材料为热塑性材料；通过抛光液管路将抛光液导入所述抛光垫与所述晶圆接触的一侧；所述抛光液中不含研磨颗粒；旋转所述抛光盘和所述抛光头，对所述晶圆进行抛光工艺。
该发明提供的自降温的晶圆抛光方法可以在抛光工艺中实现自降温，保证抛光垫温度在较低范围内，可以有效延长抛光垫的使用寿命，避免出现抛光头背膜失效、抛光垫脱胶等问题，降低晶圆划伤风险，提高晶圆抛光质量。
来源：国家知识产权局
北京晶亦精微科技股份有限公司是由北京烁科精微电子装备有限公司（烁科精微）整体变更发起设立的股份有限公司。于2019年9月23日在北京经济技术开发区注册成立，是一家国家级高新技术企业。公司聚焦集成电路核心装备CMP核心主业，围绕产业化和市场化进程中亟待突破的技术和经营短板，不断推进CMP设备研发与产业化进程，不断加强能力建设、构建经营发展体系，不断夯实核心竞争力。
来源：中国电科第四十五研究所官网
此前，晶亦精微CMP设备已实现台湾地区首台CMP设备的销售，标志着晶亦精微在高端半导体设备制造领域迈出重要一步，体现了国产关键设备在全球半导体产业链中日益增强的影响力和竞争力。
参考来源：
[1] 国家知识产权局、DT半导体、晶亦精微官网、中国电科第四十五研究所官网、行家说三代半
[2] 孟凡宁等，化学机械抛光液的研究进展
[3] 李运鹤，碳化硅晶圆化学机械抛光工艺优化实验研究
（中国粉体网编辑整理/山林）
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