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南昌大学与顶立科技联合培养的首届博士生、2023届硕士生顺利通过学位论文开题和答辩

南昌大学与顶立科技联合培养的首届博士生、2023届硕士生顺利通过学位论文开题和答辩
顶立科技  2023-05-28  |  阅读:834

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5月20日,南昌大学与顶立科技联合培养的首届博士研究生学位论文开题和2023届硕士研究生学位论文答辩在顶立科技顺利举行。

博士答辩合影.jpg

参加此次博士学位论文开题的有郑建新、霍同国两位博士研究生;参加学位论文答辩的有胡智臣、龙振、惠枋杰、贾成成四位硕士研究生。学位论文开题和答辩专家委员会由北京科技大学材料学院耿东生教授(同时为南京信息工程大学化学与材料学院主持工作的副院长)、南昌大学物理与材料学院副院长谭敦强教授、国防科技大学空天学院刘荣军研究员、中国航天科工集团四院第四总体设计部王思青研究员、顶立科技新材料事业部首席科学家谭兴龙教授、顶立科技技术中心主任王艳艳高工组成。戴煜教授课题组的14名博士生与硕士生均在会场或线上聆听答辩。

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南昌大学是国家“双一流”计划世界一流学科建设高校、国家“211工程”重点建设高校,其材料科学与工程学科是世界一流学科建设点,拥有一级学科博士点、博士后流动站和“材料物理与化学”国家重点学科。

答辩现场.jpg

 顶立科技拥有“全国博士后科研工作站”、“湖南省工程实验室”、“湖南省新型热工装备工程技术研究中心”等创新平台。具有丰富的智能化沉积热工装备研制经验,其自主研发的多元耦合物理场沉积设备成功应用于快速沉积GaN单晶生长用第三代半导体SiC涂层基座制备,同时在大尺寸复杂构件上快速沉积SiC方面经验丰富。

两位博士研究生的博士学位论文将分别涉及航空航天用耐烧蚀C/C复合材料的制备及性能研究、半导体用SiC涂层的制备及性能等研究。四位硕士研究生的学位论文工作分别涉及第三代半导体SiC单晶生长所需高纯SiC粉制备、第三代半导体SiC单晶生长所需TaC涂层制备、高温气冷堆所需耐磨SiC涂层制备、制备超高纯碳粉所需的高效节能新型连续推舟式提纯炉设计及提纯工艺模拟与验证。所有博、硕论文工作均实验工作量大,依托顶立科技的科研和生产平台完成,不仅具有一定创新性,也切合国家战略需求和地方优势产业发展需要,结合了南昌大学和顶立科技优势学科和优势方向,促进了顶立科技高纯SiC粉体、TaC涂层、SiC涂层、高纯碳粉及其热工装备的研发。答辩委员会在听取开题汇报和学位论文内容汇报后,通过质询、讨论并投票,一致同意两位博士生开题通过,四位硕士生通过论文答辩并建议授予工程硕士学位。

近年来,南昌大学与顶立科技展开校企合作,通过联合培养博士生、研究生,实现校企资源优化共享,打造了人才培养双向新平台,助力产学研深度融合。

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