产品名称

中文名称：ACS Material 一步转移氮化硼薄膜

英文名称：ACS Material Trivial Transfer Hexagonal Boron Nitride (h-BN) 

性质 

制备方法：CVD

晶粒尺寸：>4 um

覆盖率：100%

备注：此款产品属于单层氮化硼薄膜，单层率没有具体测量数据，通过电镜图片观察大约在95%以上。

应用

HBN薄膜可被用作金属绝缘金属结构的超薄间隔层，以及电子的隧道阻挡层，使其具有广泛的应用，例如纳米电容器、场效应隧道晶体管。作为单分子膜还可被用作介质或基片。

其他信息

请于4℃密封保存 ，开封前*长保质期为1个月。