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405nm 50mW 同轴封装 单模光纤 半导体激光器
405nm 50mW单模光纤耦合激光器
订购型号：MPLP-405-050m-4
极限参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
反向电压 | Vre | 5.0 | V |
工作温度 | Top | 0-+70 | ℃ |
存储温度 | Tst | -35-+85 | ℃ |
焊接温度 | Tis | 260 | ℃ |
主要特征 波长405nm 3-4μm单模光纤 同轴封装 光电探测器可选 应用领域 医疗 印刷 | |||
典型技术指标（25℃） | 符号 | 单位 | *小值 | 典型值 | **值 | |
光学参数 | 中心波长 | λc | nm | 400 | 405 | 410 |
连续输出功率 | Po | mW | - | 50mW | - | |
光谱宽度 | △λ | nm | - | 2.0 | - | |
波长温度系数 | - | Nm/℃ | - | - | - | |
光纤参数 | 光纤芯径 | Wc | μm | 3 | ||
数值孔径 | NA | nm | 0.12 | |||
光纤长度 | cm | 80 | 100 | |||
光纤类型 | 紫外单模光纤 | |||||
连接器 | FC/ST/SMA905 | |||||
电学参数 | 工作电压 | Vop | V | - | 4.6 | 5.5 |
阈值电流 | Ith | mA | - | 35 | 50 | |
工作电流 | Iop | mA | - | 110 | 130 | |
监测电流 | mA | - | ||||
微分效率 | ηD | mW/mA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | |
PD参数 | 反向耐压 | V | - | |||
正向电流 | mA | |||||
其他参数 | 封装类型 | 同轴 | ||||
侧面探测器可选 | ||||||
同轴封装图
引脚底部图
1 | LD(+) |
2 | GND |
3 | LD(-) |
注意事项
一．激光器工作时避免激光器直射眼镜和皮肤，即使很微弱的激光进入眼睛，经过眼睛的会聚作用，也可能造成严重的损伤。
二．激光器需要稳定的驱动电源，避免出现浪涌，瞬时反向电流反向电压不能超过极限值，否则会损坏元器件。
三．半导体激光器对温度比较敏感，在高温工作会降低转换效率，加速元器件老化，需要在充分散热或制冷的条件下使用。
四．激光器应在额定电流，额定功率下使用，输出功率过高会加速元器件老化。
五．激光器属于静电敏感器件，在运输，储存和使用中必须采取防静电措施。
六．激光器应存放或工作在干燥，通风的环境中，防止结露损坏激光器。
七．发光面（腔面）是激光器的关键部分之一，避免任何操作损伤到腔面，器件使用过程中应确保管芯不被污染并防止机械损伤。
八．光纤不可有大角度的弯折，弯曲直径要大于 300 倍光纤直径
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