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低压化学气相沉积系统(LPCVD)
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扩散炉、低压化学气相沉积设备(LPCVD)

产地:韩国;

有单管和双管两个不同的型号,用于科研或者小规模生产。

性能和特点:

- 温度范围:500 ~ 1000摄氏度;

- 气体混合能力(带有质量流量计);

- 真空范围:~ 10-6 Torr;

典型应用:

- 无应力氮化硅;

- LPCVD;

- 退火;

- 氧化;

- 其他...

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