碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压功率器件的关键因素。得益于出色的物理和电子特性，基于 SiC 的功率器件正在推动电力电子设备的彻底变革。尽管这种材料早已为人所知，但它作为半导体的使用相对较新，这在很大程度上是由于大型和高质量晶片的可用性。近几十年来，人们的努力集中在开发特定且独特的高温晶体生长工艺上。尽管 SiC 具有不同的多晶型晶体结构（也称为多型），但 4H-SiC 多型六方晶体结构最适合高功率应用。01碳化硅的主要性能有哪些？硅与碳的结合使这种材料具有出色的机械、化学和热性能，包括：· 高导热性· · 低热膨胀和优异的抗热震性· · 低功率和开关损耗· · 高能效· · 高工作频率和温度（工作温度高达 200°C 结点）· · 小芯片尺寸（具有相同的击穿电压）· · 本征……