编号：FTJS106563
篇名：氧化亚锡/聚酰亚胺复合薄膜制备及介电性能研究
作者：李科 杨林 杨麟 杜娟 李新跃
关键词： 聚酰亚胺 复合薄膜 氧化亚锡 介电性能 介电损耗
机构： 四川轻化工大学材料科学与工程学院
摘要： 采用水热法合成了氧化亚锡(SnO),然后再通过原位聚合法将合成的SnO引入到聚酰亚胺基体中,制得SnO/PI复合薄膜。SnO的含量对该薄膜的介电常数、介电损耗、拉伸强度和击穿强度具有显著影响。当SnO含量为10%(质量分数)时,SnO/PI复合薄膜的介电常数高达456,介电损耗仅为0.034,拉伸强度为65 MPa,击穿强度为146.9 MV/m。将SnO引入到PI基体中能改善PI薄膜的介电性能,使其在储能、航空航天、绝缘等领域有很好的应用前景。
