自信息时代迈入智能时代，半导体与光学技术已成为推动社会进步的核心引擎。超精密加工技术作为实现高性能半导体器件、先进光学元件制造的决定性工艺，直接决定了相关产品的性能极限与产业化水平，是支撑集成电路、高端装备等战略产业发展的关键使能技术。尤其随着半导体与光学元器件的性能边界正被不断推向极致，超精密加工

2026磷化铟材料制备技术与产业发展论坛暨AI算力时代光电材料应用交流会磷化铟（InP）作为第二代化合物半导体核心基底材料，是 DFB、EML 激光器、APD 探测器芯片不可替代的关键材料，支撑 1310nm/1550nm 通信波段光电转换，在算力光互联中占据核心地位。近年来，AI算力基础设施建设持

第三代半导体指的是SiC、GaN、ZnO、金刚石（C）、AlN等具有宽禁带（Eg＞2.3eV）特性的新兴半导体材料。碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。

氮化镓(GaN)是一种商业应用相对较新的半导体。它的功率效率、功率密度和处理更宽频率范围的能力，使其非常适合大规模MIMO基站。

氮化镓材料产业全景图

碳化硅产业正式迈入涨价上行通道？

AI算力战，打到最后一颗“材料”定胜负。

氮化镓(GaN)被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，具有带隙宽、原子键强、导热率高、化学性能稳定、抗辐照能力强、结构类似纤锌矿、硬度很高等特点，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用等方面有着广阔的应用前景。

碳化硅光波导革命

碳化硅光波导方案在AR领域焕发活力

碳化硅最有前景的应用场景居然是它？

别只盯新能源！AR 眼镜正偷偷给碳化硅塞万亿大订单！

碳化硅的市场潜力还远未被挖掘

我们，为何“死磕”碳化硅？底气何在？

碳化硅单晶生长炉主要应用于生长6英寸N型及半绝缘碳化硅单晶衬底。碳化硅单晶具有高热导率、高化学稳定性、低热膨胀、高饱和电子漂移率等优点，在白光高效照明、电力输送与转换、耐高温电力电子器件等民用领域应用广泛，同时在雷达通讯、航空母舰、舰舶等军事领域可提高军事电子系统和武器装备的性能，有着明确应用背景。

1.氮化镓氮化镓是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，具有高电离度且硬度又高，是一种良好的涂层保护材料。它是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列，是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。2.氮化镓材料氮化豫材料的研究与应用是目前全球半导体研

单晶硅片单晶硅片生产流程为切片、清洗及分选工序。经过不断提升切割工艺及终检能力，持续提升产能和硅片成品率，满足客户对硅片质量与产量需求。

磷化铟InP可提供高质量磷化铟衬底片InPwafer定制服务。尺寸：2寸，4寸；表面：单抛、双抛；厚度：350um、500um、625um等；

一、设备概述：主要应用于3-6英寸磷化铟、磷化镓III-V族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺，自动控制系统。二、设备参数类型：设备性能指标1操作方式手动2管路数1管3加工晶圆尺寸4-6寸4适用工艺单晶生长5工艺温度范围800-1250℃6恒温区长度300-800mm7控温精度±0.2℃/＞1280℃

高纯硅粉CX-S1高纯硅粉纯度高（4N），杂质含量低，粒度分布均匀，可应用于电子封装、电气绝缘、电子元器件以及超大规模集成电路、高性能陶瓷、油漆涂料、精密铸造、硅橡胶、航空航天、汽车等领域。

应用范围：锂离子负极材料,核石墨反应堆,SiC单晶、人造钻石、莫桑石、核石墨高纯碳粉产品简介产品性能和特点：1、产品纯度≥99.9995%（5N6）；2、高纯炭粉稳定性好，石墨化程度高，杂质少；3、粒度和种类可根据用户定制。产品主要用途：■合成高纯SiC粉、其他固相合成碳化物材料■培育钻石■新型电子