陶瓷金属化技术是今后电子封装材料可持续发展的重要方向。

要使氮化铝陶瓷作为电子器件来使用，往往需要跟其他材料（金属、合金等）进行有效连接，为了方便连接，很多情况下需要先将其金属化处理。

打通陶瓷基板产业链，到底有多难？

近日，深圳后浪实验室DSC陶瓷基板首次实现高性能IGBT线路刻蚀。

高纯氧化铝基板的特性对于微波电路的使用至关重要。

在医疗、新能源等领域，陶瓷与金属的连接具有广泛的需求

陶瓷基板材料大PK......

陶瓷基板具有机械应力强，形状稳定；高强度、高导热率、高绝缘性；结合力强，防腐蚀；极好的热循环性能，与PCB板(或IMS基片)一样可刻蚀出各种图形的结构，热膨胀系数接近硅芯片，减少焊层，降低热阻，减少空洞，提高成品率等诸多特点，使得芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性。

基于陶瓷材料技术所开发的氮化硅制品具有高强度，高韧性，高导热率，根据这些特性，产品被广泛用于要求拥有高信赖性材料的功率半导体基板领域。和氧化铝基板或氮化铝基板相比，约有两倍以上的抗弯强度。和氧化铝基板或ZTA基板相比、拥有三倍以上的热导率。高电绝缘性热膨胀系数与硅相近氮化硅基板尺寸主要项目规格指标基

企业多年产业化研发、量产改进、市场验证，形成了具有自主知识产权的发明专利技术

氮化硅陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优异性能，是综合性能最好的陶瓷材料。与其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷具有耐高温、超高的硬度和断裂韧性，所以在高频率振动或高温的条件下表现出优异的力学性能。因此被广泛应用于航天航空、高铁、新能源汽车等领域

覆铜陶瓷基板(DirectBondCopper,DBC)是一种通过热熔式粘合法，在高温下将铜箔直接烧结到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成的一种复合基板,应用于各类电子模块的封装，覆铜面可以刻蚀出各种图形，是一种无污染，无公害的绿色产品，使用温度相当广泛。

司掌握了国内外企业、高等院校和研究院所的先进生产技术和研究成果，设计了国内******氮化硅陶瓷基板自动化生产线，产品经多家用户检测和军方权威机构检测，验证结果与国外产品相当，局部优于国外产品。氮化硅（Si3N4）基板与BeO、Al2O3和AlN基板相比较，具有综合性能******、使用寿命***长

由于氮化铝陶瓷具有高热导率、高绝缘性、高抗电强度、低介电损耗等特性，广泛用于大规模集成电路芯片载体、可控硅整流器、高速转换模块、音频及微波功率放大器、光电子集成电路功能模块、IGBT模块等。用氮化铝材料封装的功率模块已经开始用于高铁、新能源汽车、轨道交通、太阳能发电、风力发电、电力储能、智能电网等领

第六届新型陶瓷技术与产业高峰论坛，2023年12月20-21日，宜昌。

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