德国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 610系列

用于纳米光刻的 AR - P617电子束电阻

共聚物抗蚀剂系列用于生产集成电路和掩模

描述

-电子束，深紫外光(248nm)

-高分辨率，高对比度

-对玻璃、硅和金属有很强的附着力

-比PMMA敏感3-4倍

-敏感性可以通过软烤调整

-用于平面化和多层工艺

-温度稳定，可达240℃

-以甲基丙烯酸甲酯为基础的共聚物

甲基丙烯酸，安全溶剂1-甲氧基-2-丙醇

属性 I

属性 II

工艺条件

该图显示了AR-P 610系列电阻的典型工艺步骤。所有规范都是指导原则必须适应自身具体情况的价值观。For 进一步 信息 processing， ? “Detailed 电子束电阻的处理说明"。For 建议 废水 处理 和 general 安全 instructions， ? ”General 产品 信息 Allresist 电子束 resists”.

Processing instructions

抗蚀剂的敏感性随软烤温度的升高而增加，这是因为抗蚀剂的形成更加强烈下的甲基丙烯酸酐的分离 水 ( 图剂量 与 softbake temperature).AR-P 617，因此，在200℃回火比在180℃回火大约敏感20%。剂量可以是对两层AR-P 617系统进行相应的调整，对于两层系统具有重要意义。在这种情况下，首先，底层在200℃下干燥，然后在180℃与上层膜一起回火。由于差异化的过程，较低的层次被开发人员更快地攻击，并明显削弱结构形成(起飞)。这些起飞结构也可以由双层系统PMMA/共聚物。首先在190℃下对ar - p617进行涂层回火处理，然后对其进行PMMA抗AR-P 679.03纺丝涂膜，150℃烘干。曝光后，两层都是一步显影，如AR 600-56处理瓶塞AR 600-60并冲洗。

剥离结构为ar - p617两层侧切结构， 采用PMMA/共聚物

经过AR 600-50的开发 开发后的PMMA/共聚物双层体系

底部:AR-P 617.06， 400纳米厚，200℃回火 底部:AR-P 617.06， 400纳米厚，在190℃回火

顶部:AR-P 617.06， 500纳米厚，180℃回火 顶部:AR-P 679.06， 180纳米厚，150℃回火

由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸组成的共聚物与纯PMMA产品相比，在热载荷作用下能形成6环。在这种情况下，两个甲基丙烯酸基团必须相邻排列在聚合物链上(见大的结构式左)，这在统计学上发生足够高混合比例为2:1时的频率(见右上方分子式)。在这个温度下反应是可能的，因为在反应过程中产生的水是非常好的离开组织。

The 6-ring形成分裂比脂肪链更容易在与电子辐照 remainder 导致 copolymer. 的灵敏度越高一旦调整，灵敏度将保持不变。逆开环反应是不可能的。

由于其优异的涂层性能，使其成为可能存在的水平出拓扑 wafer 发展之前在这个例子中，200纳米高氧化层结构采用AR-P 617.08涂层的薄膜厚度为780纳米。曝光后(20kv)和开发(AR 600- 50，2分钟)，晶圆片结构被完全平面的抗蚀剂线覆盖。