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EBPG5150使用了155mm大小的样品台，采用跟EBPG5200一样的通用光刻平台设计，对电子束直写应用进行了优化。它可以载入不同大小的样品，包括多片散片以及完整的硅片。
00001. 高束流密度，热场发射电子枪可以在20、50和100kV之间切换
00002. 155mm的平台
00003. *小曝光特征尺寸小于8nm
00004. 高速度曝光，可采用50或100MHz的图形发生器
00005. 在所有KVs加速电压下，可连续改变的写场大小，**可以到1mm
00006. GUI人机交互界面友好，简洁易用，适用于多用户环境
00007. 多项灵活可选择的配置，可以适用于不同应用的需求
EBPG5150可以选择不同的升级选项，以满足用户不同的技术和预算需求。让全世界的高校等研究类用户也可以使用这款非常先进、高自动化的电子束光刻系统。
· 电子束曝光用于制作GaAs T型器件
· 微盘谐振器
· 开口环谐振器
主要应用： · 100KV高加速电压可用于曝光高深宽比纳米结构 · 高速电子束直写 · 批量生产，如化合物半导体器件 · 防伪标识 | 电子光学柱技术： · EBPG · 电子束 · 100 kV |
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