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mini是一款发热显微镜，配备了高灵敏度InSb相机，可探测半导体器件的内部发热。通过将高精度热探测器探测到的发热图与模板图像叠加，可高精度地识别失效位置。
特性
高灵敏度是通过以下方式获得的：
InSb相机在3 μm到5 μm波段内具有高灵敏度
专为3 μm 到 5 μm波段优化的镜头设计
使用lock-in功能（选配）实现低噪声
使用斯特林循环冷却器实现高制冷性能
噪声等效温差(NETD)只有20mK
高分辨率是通过以下方式获得的：
InSb相机为640 × 512像素（像素尺寸：15μm）
可选择热纳米镜头(选配)
使用窗口功能，可获得高速探测能力
视频功能
连接测试机，可获得动态分析功能
系统结构灵活，可进行微观到宏观的观测
与PHEMOS、μAMOS系列一样具有用户友好型操作
全系列的选配选项
应用
金属布线短路
接触孔异常
氧化物层微等离子体泄露
氧化物层击穿
TFT-LCD泄露/有机EL泄露定位
器件开发过程中温度异常监测
器件和PC板的温度映射
温度测量功能
在器件设计早期，通过获取器件工作时的温度信息，反馈回设计流程，可以缩短器件验证时间，也可增强产品可靠性。在观测基于工作环境的温度行为改变上，该功能也很有用。通过增加U11389温度测量功能，便可以方便地获得该测量功能。
宏观分析
新研发的0.29×红外镜头可提供无水仙现象、无阴影的清晰视场图像。
热纳米镜头系统（Thermal NanoLens System）
热纳米镜头系统因为高数值孔径，大大提高了光校正效率和分辨率。通过在样品（即便样品表面平整度很差）和透镜之间施加显微镜浸润油来获取高数值孔径。使用操纵器来简化纳米透镜系统的设计，可使工作设备的更新更简单。
LSI测试机对接
半导体器件变得越来越复杂，因此必须通过与LSI测试机对接来初始化采样测量、设置特殊条件。安装专用探针卡适配器后，可以用线缆与LSI测试机对接，执行分析。
激光标记
在定位后的失效点附近进行标记，或者在失效点周围的四个点进行标记，可以轻松地将失效点的位置信息传输到其他的分析设备上。
测量示例
案例研究：封装器件观测
案例研究：对器件一侧开口进行失效层观测
案例研究：CMOS观测
发现凸球下的缺陷
案例研究：PCB和封装器件之间的布线失效
在打开封装之前观测热源；打开封装以后获取相位图像以缩小热源范围。
参数
| 尺寸/重量 | 880 mm(W)×840 mm(D)×1993 mm(H)， Approx. 450 kg PC桌：700 mm(W)×700 mm(D)×700 mm(H)， Approx. 50 kg |
| 线电压 | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
| 功耗 | 约 700W |
| 真空度 | 约80 kPa或更大 |
| 压缩空气 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
系统配置
| C9985-04 InSb相机 | 标配 |
| 自动平台控制 | 手动 |
| 标准透镜 | 0.8×、4×、15× |
| 样品平台 | HPK 平台 (8英寸) |
| 探测目镜 | 标配 |
| 探测镜头 | NIR 5× |
| 抗震桌 | 标配 |
| THEMOS分析软件 | 标配 |
| FOV（mm） | 12×9.6 to 0.64×0.51 |
| 目标 | PCB*，晶片(可达12英寸)，Si 片， 封装 |
*：集成0.29×物镜时。
功能
| 热lock-in测量 | 选配 |
| 3D-IC测量 | 选配 |
| 热测量功能 | 选配 |
| 热纳米镜头 | 选配 |
| 视频功能 | 标配 |
| 外部触发 | 标配 |
| 窗口功能 | 标配 |
光学系统
| 物镜/微距镜头 | N.A. | WD（mm） | FOV（mm） | 配置 |
| MWIR 0.29× | 0.048 | 12 | 33×26td> | 选配 |
| MWIR 0.8× | 0.13 | 22 | 12.0×9.6 | 标配 |
| MWIR 4× | 0.52 | 25 | 2.4×1.9 | 标配 |
| MWIR 8× | 0.75 | 15 | 1.2×0.96 | 选配 |
| MWIR 15× | 0.71 | 15 | 0.64×0.51 | 标配 |
| MWIR 30× | 0.71 | 13 | 0.32×0.26 | 选配 |
| M Plan NIR 5× | 0.14 | 37.5 | 2.6×2.6 | 标配 |
外形图（单位：mm）
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