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三硫化二铟晶体-In2S3品牌
上海研倍产地
上海样本
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产品技术参数:
产品名称 | 三硫化二铟晶体-In2S3 |
货号 | RDB-DJ-047 |
性质 | 半导体 |
产品规格:
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
三硫化二铟晶体-In2S3照片:
晶体截面SEM:
晶体XRD:
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高熵合金(High entropy alloys,HEAs)是由4种或4种以上元素以等摩尔比或近似等摩尔比组成的具有简单晶体结构的合金。与传统合金不同,高熵合金没有主体元素,倾向于形成简单固溶体结构,