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硒化铟晶体- γ-In2Se3品牌
上海研倍产地
上海样本
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产品技术参数：
| 产品名称 | 硒化铟晶体- γ-In2Se3 |
| 货号 | RDB-DJ-171 |
| 性质 | 半导体 |
| 保存条件 | 室温，密封 |
| 参数 | 尺寸： ＞25mm2 ＞35mm2 ＞50mm2 |
| 应用 | 半导体电子器件，光学器件等研究 |
产品规格：
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
XRD:
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